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ELABORATION ET CARACTERISTIQUES DE PHOTODIODES OXYDE D'INDIUM DOPE ETAIN (ITO)/ GaALsb EN VUE DE LA PHOTODETECTION DANS LE PROCHE INFRAROUGE

Auteur : Boustani Malika
Date de publication : 27/06/1983
Type : Thèse / Mémoire
Thème : Génie électrique
Couverture : France
Langue : FR

N° Accession :

88-0080

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 (54,51 MB) ELABORATION ET CARACTERISTIQUES DE PHOTODIODES OXYDE D'INDIUM DOPE ETAIN (ITO) GAALSB EN VUE DE LA PHOTODETECTION DANS LE PROCHE INFRAROUGE.pdf

Résumé/Sommaire :

Thèse relative à la fabrication et les caractérisations optiques, électriques, photoélectriques de structure IOT/GaALSbnt. Les pertes par réflexion et absorption de cette structure peuvent être rendues inferieures aux pertes par réflexion d'un sulestrat GaALbn nu, tout en conservant à l'électrode présente un caractère conducteur. La meilleure diode obtenue présente un courant d'obscurité de 100 nA a-=IV, une capacité de 28 pF a-5V. La réponse spectrale de ces diodes s'étend très loin dans le visible.

Mots clés : /OXYDE/ /ETAIN/ /INFRAROUGE/ /DETECTION/ /INDIUM/

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